GB-T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)

ICS 77.040 CCS H 21 中华人民共和国国家标准 GB/T 43894.1—2024 半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry- Part 1: Measured height data array using a curvature metric(ZDD) 2024-04-25发布 2024-11-01实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 GB/T 43894.1—2024 前言本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件是GB/T43894《半导体晶片近边缘几何形态评价》的第1部分。GB/T43894已经发布了以下部分：一第1部分：高度径向二阶导数（ZDD）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位：山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技（集团)股份有限公司。本文件主要起草人：王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江。 I

GB-T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)

文档预览

中文文档 12 页 50 下载 1000 浏览 0 评论 309 收藏 3.0分

赞助2元下载(无需注册)

温馨提示：本文档共12页，可预览 3 页，如浏览全部内容或当前文档出现乱码,可开通会员下载原始文档

GB-T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD) 第 1 页

GB-T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD) 第 2 页

GB-T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD) 第 3 页

下载文档到电脑，方便使用

赞助2元下载

本文档由人生无常于 2024-10-13 12:09:05上传分享

GB-T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)

GB-T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)