ICS31.260 SJ CCSL53 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11818.1—2022 半导体紫外发射二极管第1部分：测试方法 Semiconductor ultraviolet emitting diodes -Part 1: Measuring methods 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ SJ/T11818.1—2022 目 次 前言 引言 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 测试条件 4.1 一般要求 4.2 测试场所 4.3 环境条件 4.4 管壳温度 4.5 工作姿态 4.6 预热稳定 4.7 操作要求 5，测试仪器 5.1 供电电源 5.2 电学测试仪器 5.3积分球-光谱仪系统 5.4 测角仪-紫外探头-光谱仪系统 6测试步骤 6.1 一般要求 6.2 辐射照度 6.3 辐射强度、辐射强度分布和半强度角 6.4 辐射通量和辐射效率 6.5 峰值波长、中心波长和光谱半宽 报告结果 7. 1 一般要求 7.2 一般信息 7.3 被测器件信息 7.4 测试流程信息 7.5 数据信息 8 安全防护 参考文献 10 SJ/T11818.1—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 本文件是SJ/T11818《半导体紫外发射二极管》的第1部分。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中国电子技术标准化研究院（CESI）归口。 本文件起草单位：广州赛西标准检测研究院有限公司、深圳赛西信息技术有限公司、鸿利智汇集团 股份有限公司、三安光电股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、广东省半导体产业技术研究院、 TCL半导体光源研究院、广东省中山市质量计量监督检测所、中国科学院半导体研究所、北京集创北 方科技股份有限公司、福建鸿博光电科技有限公司、产业大学、大连工业大学光子学研究所、广州 市鸿利秉一光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、北景国联方众半导体科技有限公司、杭州 通尚光电有限公司佛山市国星光电股份有限公司、杭州浙大三色仪器有限公司。 本文件主要起草人吴杜雄、周钢、刘秀娟、吕天刚、时军鹏、胡爱华、樊磊、陈志涛、刘宁炀、 彭振坚、洪震 可苗 孙雪娇、刘硕、张云翠、吴乾、葛莉、张志国、 虞建栋、袁毅凯、麦家儿、颜 爱军、许子愉 OFIN S ISTRY S