ICS 31.080.30 SJ CCSL42 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T118482022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小 功率晶体管详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of3DG2484 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ SJ/T11848—2022 前 言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）提出并归口。 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所。 本文件主要起草人： 赵 王立康、赵昕、高盼红、崔莹莹。 S RDS M D SJ/T11848—2022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 1范围 本文件规定了3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件； 最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T2423.23 第2部分：试验万 201 GB/T4587 体分立器件和集成电路 第7部分， 第10部分：分立器件和集成电路总规 GB/T4589 2006 半导体器件 GB/T49 7995 半导体器件 机械和气候试验方法 仙端强度（引线牢固度） GB/T4937 618 美导家器机械和气候试验方法 4部 2018 15部分 通孔安装器件的耐焊接热 GB/T 15 导体器件 机械口气候试验方法 937 4937. 2018 机城和气候试验方法 21部分 可爆性 GB/T 导体器件 CHNOL GB/ 1987 分立器件外形尺寸 GB/ 2560 1999 体器件分器件分规范 3 本文件没有需要界定 S 4要求 4.1 总则 器件应符食本文件的所有规定。 质量评定类别符合GB/4589.1-2006和GB/T12560—1999的 质量评定类别为IⅡI类。 足 器件设计、结构 RD 4.2.1 芯片采用硅外延平面结构，封装采用金 4.2.2外形尺寸 外形符合GB/T7581—1987中A3—01B型的规定。外形图见图1，外形尺寸见表1。