ICS31.080.30 SJ CCS L 42 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11849—2022 半导体分立器件 3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 Semiconductor discretedevices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of3DG3500and3DG3501 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 'S SJ/T11849—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）提出并归口。 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所。 本文件主要起草人：赵王冷 赵昕、高盼红、朱伟娜、崔莹莹。 SU RDS D SJ/T11849—2022 半导体分立器件 3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 1范围 本文件规定了3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率双极型晶体管（以下简称器件）的详细要求。 2规范性引用文件 文件。 GB/T2428. 环境试验第2部分：试验方法 试验Q： 半导体立器件和集成电路第7部双极型晶体套 GB/T 1689 006 半导体器件第部分：分立器件箱集房 GB/T 4937- 器件 机械和瓷 候试验方法 GB/T 498 2018 导体器件 机械和气候试验方法 4部分： 度（引线牢固度） GB/ 4937 2018 导体器件机械和气候试验方法 5部分： 通孔安装 装器件的耐焊接热 GB/ 4937 2018 半导体器件机械 和气候试验方法 21部分： 第 GB/ 7081 1987 INOL GB/ 2560 1999 导体器件分 本文件没有需要界定的术语和定义 4要求 4.1总则 器件应符合本文 有规 质量评定类别符合GB/T4589 2006利 质量评定类别为ⅡI类。 4.2设计、结构和外形尺寸 4.2.1器件设计、结构 芯片采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装。 4.2.2外形尺寸 外形符合GB/T7581—1987中A3—02B型的规定。外形图见图1，外形尺寸见表1。