书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犎 ８２ 中华人民共和国国家标准 犌犅 ／ 犜 ２９０５５ — ２０１９ 代替 ＧＢ ／ Ｔ２９０５５ — ２０１２ 太阳能电池用多晶硅片 犕狌犾狋犻犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狊犳狅狉狆犺狅狋狅狏狅犾狋犪犻犮狊狅犾犪狉犮犲犾犾 ２０１９  ０６  ０４ 发布 ２０２０  ０５  ０１ 实施 国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会 发布 书 书 书前 　　 言 　　 本标准按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２００９ 给出的规则起草 。 本标准代替 ＧＢ ／ Ｔ２９０５５ — ２０１２ 《 太阳电池用多晶硅片 》。 本标准与 ＧＢ ／ Ｔ２９０５５ — ２０１２ 相比 ， 除编辑性修改外主要技术变化如下 ： ——— 修改了适用范围 ， 将 “ 适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片 ” 改为 “ 适用于太阳能电池用铸造多晶硅片 （ 包括类单晶硅片 ）”（ 见第 １ 章 ， ２０１２ 年版的第 １ 章 ）。 ——— 删除了规范性引用文件 ＧＢ ／ Ｔ１５５１ 和 ＳＥＭＩＭＦ１５３５ ， 增加了 ＧＢ ／ Ｔ３０８６０ 、 ＧＢ ／ Ｔ３０８６９ 、 ＳＪ ／ Ｔ１１６２７ 、 ＳＪ ／ Ｔ１１６２８ 、 ＳＪ ／ Ｔ１１６３０ 、 ＳＪ ／ Ｔ１１６３１ 、 ＳＪ ／ Ｔ１１６３２ 和 ＹＳ ／ Ｔ２８ （ 见第 ２ 章 ， ２０１２ 年版的第 ２ 章 ）。 ——— 删除了密集线痕的定义 ， 增加了线痕和微裂纹的定义 （ 见 ３．１ 和 ３．２ ， ２０１２ 年版的 ３．１ ）。 ——— 修改了边长分类 ， 由 １２５ｍｍ×１２５ｍｍ 和 １５６ｍｍ×１５６ｍｍ 改为 １５６．７５ｍｍ×１５６．７５ｍｍ ， 建议边长的增减量为 １ｍｍ 的整数倍 （ 见表 １ ， ２０１２ 年版的表 １ ）。 ——— 将外形尺寸分类与要求合并 ， 并修改了边长 、 厚度及允许偏差的要求 （ 见 ４．１ ， ２０１２ 年版的第 ４ 章 、 第 ５ 章 ）。 ——— 修改了总厚度变化 、 弯曲度的要求 （ 见 ４．１ ， ２０１２ 年版的 ５．２ ）。 ——— 修改了载流子寿命 、 间隙氧含量 、 代位碳含量的要求 （ 见 ４．２．３ 、 ４．３ ， ２０１２ 年版的 ５．３．３ 、 ５．３．４ 、 ５．３．５ ）。 ——— 增加了表面质量中缺口 、 微裂纹的要求 （ 见 ４．４．１ ）。 ——— 修改了表面质量中崩边缺陷的要求 （ 见 ４．４．２ ， ２０１２ 年版的 ５．１．２ ）。 ——— 删除了表面质量中的色斑 、 边缘缺陷 、 晶粒数量及尺寸规格中密集型线痕的要求 （ 见 ２０１２ 年版的 ５．１．１ 、 ５．１．３ 、 ５．１．４ 、 ５．２ ）。 ——— 增加了类单晶硅片的要求 （ 见第 ４ 章 ）。 ——— 修改了组批 、 检验项目 、 取样及检验结果的判定 （ 见 ６．２ 、 ６．３ 、 ６．４ ， ２０１２ 年版的 ７．２ 、 ７．３ 、 ７．４ ）。 ——— 修改了包装的要求 （ 见 ７．２．１ ， ２０１２ 年版的 ８．１．１ ）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ） 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ／ ＳＣ２ ） 共同提出并归口 。 本标准起草单位 ： 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 、 镇江仁德新能源科技有限公司 、 江西赛维 ＬＤＫ 太阳能高科技有限公司 、 宜昌南玻硅材料有限公司 、 有色金属技术经济研究院 、 扬州荣德新能源科技有限公司 、 苏州协鑫光伏科技有限公司 、 英利能源 （ 中国 ） 有限公司 。 本标准主要起草人 ： 万跃鹏 、 唐骏 、 游达 、 林清香 、 苏磊 、 李素青 、 余刚 、 高长昆 、 常传波 、 李建敏 、 何亮 、 梁学勤 、 齐灵燕 、 孙培亚 、 李英叶 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 ： ——— ＧＢ ／ Ｔ２９０５５ — ２０１２ 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ２９０５５ — ２０１９ 太阳能电池用多晶硅片 １ 　 范围 本标准规定了太阳能电池用多晶硅片 （ 以下简称硅片 ） 的要求 、 试验方法 、 检验规则 、 标志 、 包装 、 运输 、 贮存 、 质量证明书及订货单 （ 或合同 ） 内容 。 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片 （ 包括类单晶硅片 ）。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 仅注日期的版本适用于本文件 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ１５５０ 　 非本征半导体材料导电类型测试方法 ＧＢ ／ Ｔ２８２８．１ — ２０１２ 　 计数抽样检验程序 　 第 １ 部分 ： 按接收质量限 （ ＡＱＬ ） 检索的逐批检验抽样计划 ＧＢ ／ Ｔ６６１６ 　 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 　 非接触涡流法 ＧＢ ／ Ｔ６６１８ 　 硅片厚度和总厚度变化测试方法 ＧＢ ／ Ｔ６６１９ 　 硅片弯曲度测试方法 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 　 半导体材料术语 ＧＢ ／ Ｔ２９０５４ 　 太阳能级铸造多晶硅块 ＧＢ ／ Ｔ３０８６０ 　 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 ＧＢ ／ Ｔ３０８６９ 　 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 ＳＪ ／ Ｔ１１６２７ 　 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法 ＳＪ ／ Ｔ１１６２８ 　 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法 ＳＪ ／ Ｔ１１６３０ 　 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法 ＳＪ ／ Ｔ１１６３１ 　 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法 ＳＪ ／ Ｔ１１６３２ 　 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法 ＹＳ ／ Ｔ２８ 　 硅片包装 ３ 　 术语和定义 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 和 ＧＢ ／ Ｔ２９０５４ 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 。 ３ ． １ 线痕 　 狊犪狑犿犪狉犽狊 晶块切割时 ， 在晶片表面留下的条状凸纹和凹纹形状的不规则痕迹 。 ３ ． ２ 微裂纹 　 犿犻犮狉狅犮狉犪犮犽 宽度在微米量级 ， 无法通过肉眼直接识别的裂纹 。 １ 犌犅 ／ 犜 ２９０５５ — ２０１９ ４ 　 要求 ４ ． １ 　 外形尺寸 硅片的外形尺寸及允许偏差应符合表 １ 的规定 。 表 １ 项目 要求 允许偏差 边长 ａ ／ ｍｍ １５６．７５×１５６．７５ ±０．２５ 倒角 ／ ｍｍ １．５ ±０．５ 厚度 ｂ ／ μ ｍ１６０ １７０ １８０ １９０ ２００ ＋２０－１０ ±２０ 总厚度变化 ／ μ ｍ ≤ ３０ — 弯曲度 ／ μ ｍ ≤ ５０ — 相邻两边的垂直度 ／（ ° ） ９０ ±０．２５ 　　 ａ 边长的增减量建议为 １ｍｍ 的整数倍 。 ｂ 厚度的增减量建议为 １０ μ ｍ 的整数倍 。 ４ ． ２ 　 电学性能 ４ ． ２ ． １ 　 硅片的导电类型为 Ｐ 型 。 ４ ． ２ ． ２ 　 硅片的电阻率为 ０．５ Ω · ｃｍ ～ ３．０ Ω · ｃｍ 。 ４ ． ２ ． ３ 　 硅片的载流子寿命应符合 ＧＢ ／ Ｔ２９０５４ 的规定 ， 质量由供方保证 。 ４ ． ３ 　 间隙氧和代位碳含量 硅片的间隙氧含量和代位碳含量应符合 ＧＢ ／ Ｔ２９０５４ 的规定 ， 质量由供方保证 。 ４ ． ４ 　 表面质量 ４ ． ４ ． １ 　 硅片表面应洁净 ， 无缺口 、 沾污 、 目视裂纹 、 微裂纹 、 孔洞等缺陷 。 ４ ． ４ ． ２ 　 硅片表面不应有 “ Ｖ ” 型缺口的崩边缺陷 ， 允许有深度小于 ０．３ｍｍ 、 长度小于 ０．５ｍｍ 的崩边缺陷 ， 且整片不超过 ２ 处 。 ４ ． ４ ． ３ 　 硅片表面的单条线痕深度值应不大于 １５ μ ｍ 。 ４ ． ５ 　 类单晶硅片的最大晶粒面积比例 类单晶硅片的最大晶粒面积比例应符合表 ２ 的规定 。 ２ 犌犅 ／ 犜 ２９０５５ — ２０１９