书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犎 ８３ 中华人民共和国国家标准 犌犅 ／ 犜 １１０７２ — ２００９ 代替 ＧＢ ／ Ｔ１１０７２ — １９８９ 锑化铟多晶 、 单晶及切割片 犐狀犱犻狌犿犪狀狋犻犿狅狀犻犱犲狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾 ， 狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾狊犪狀犱犪狊犮狌狋狊犾犻犮犲狊 ２００９  １０  ３０ 发布 ２０１０  ０６  ０１ 实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 书 书 书前 　　 言 　　 本标准代替 ＧＢ ／ Ｔ１１０７２ — １９８９ 《 锑化铟多晶 、 单晶及切割片 》。 本标准与 ＧＢ ／ Ｔ１１０７２ — １９８９ 相比 ， 主要有如下变化 ： ——— 将原标准中直径 １０ｍｍ ～ ５０ｍｍ 全部改为 １０ｍｍ ～ ２００ｍｍ ； ——— 在原标准的基础上增加了直径 ＞ ５０ｍｍ ， 厚度不小于 １２００ μ ｍ ， 厚度偏差 ±４０ μ ｍ ； ——— 将原标准中位错密度级别 １ 、 ２ 、 ３ 中直径 ≥ ３０ｍｍ ～ ５０ｍｍ 全部改为 ≥ ３０ｍｍ ～ ２００ｍｍ ； ——— 在原标准的基础上增加了直径为 １００ｍｍ 、 １５０ｍｍ 、 ２００ｍｍ 的切割片直径 、 参考面长度及其 偏差 ； ——— 将原标准中的附录 Ａ 去掉 ， 增加引用标准 ＧＢ ／ Ｔ１１２９７ ； ——— 增加了 “ 订货单 （ 或合同 ） 内容 ” 一章内容 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口 。 本标准起草单位 ： 峨嵋半导体材料厂 。 本标准主要起草人 ： 王炎 、 何兰英 、 张梅 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 ： ——— ＧＢ ／ Ｔ１１０７２ — １９８９ 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 １１０７２ — ２００９ 锑化铟多晶 、 单晶及切割片 １ 　 范围 １ ． １ 　 本标准规定了锑化铟多晶 、 单晶及单晶切割片的产品分类 、 技术要求和试验方法等 。 １ ． ２ 　 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑 化铟多晶 、 单晶及切割片 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。 凡是注日期的引用文件 ， 其随后所有 的修改单 （ 不包括勘误的内容 ） 或修订版均不适用于本标准 ， 然而 ， 鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本适用于本标准 。 ＧＢ ／ Ｔ４３２６ 　 非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 ＧＢ ／ Ｔ８７５９ 　 化合物半导体单晶晶向 Ｘ 衍射测量方法 ＧＢ ／ Ｔ１１２９７ 　 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 ３ 　 产品分类 ３ ． １ 　 导电类型 、 规格 ３ ． １ ． １ 　 多晶 多晶的导电类型为 ｎ 型 ， 按载流子迁移率分为三级 。 ３ ． １ ． ２ 　 单晶 锑化铟单晶按导电类型分为 ｎ 型和 ｐ 型 ， 以掺杂剂 、 载流子浓度和迁移率分类 ， 按直径与位错密度 分为三级 。 ３ ． １ ． ３ 　 切割片 按 ３．１．２ 分类与分级 ， 其厚度不小于 ５００ μ ｍ 。 ３ ． ２ 　 牌号 ３ ． ２ ． １ 　 锑化铟多晶与单晶的牌号表示为 ： ＩｎＳｂ 　 —        　  １ 　 —  　  ２  　  ３ １ ——— 用 ＰＩｎＳｂ 表示锑化铟多晶 ， ＭＩｎＳｂ 表示锑化铟单晶 ； ２ ——— 化学元素符号表示掺杂剂 ； ３ ——— 阿拉伯数字表示产品等级 。 若产品不掺杂或不分级 ， 则相应部分可省略 。 ３ ． ２ ． ２ 　 锑化铟单晶切割片牌号表示为 ： １ 犌犅 ／ 犜 １１０７２ — ２００９ ＩｎＳｂ 　 —          　  １ 　 —        　  ２ ＣＳ 　 —  　  ３  　  ４ １ ——— ＭＩｎＳｂ 表示锑化铟单晶 ； ２ ——— 化学元素表示掺杂剂 ； ３ ——— ＣＳ 表示切割片 ； ４ ——— 阿拉伯数字表示产品等级 。 若产品不掺杂或不分级 ， 则相应部分可省略 。 注 ： １ 级掺碲锑化铟单晶切割片表示为 ： ＭＩｎＳｂＴｅＣＳ１ ４ 　 技术要求 ４ ． １ 　 多晶 ４ ． １ ． １ 　 多晶不应有裂纹和机械损伤 ， 不允许有夹杂物 。 ４ ． １ ． ２ 　 多晶的电学性能应符合表 １ 的规定 。 表 １ 　 多晶的电学性能 （ ７７ 犓 ） 导电类型 级别载流子浓度 ／ ｃｍ －３ 迁移率 ／ ［ ｃｍ ２ ／（ Ｖ · ｓ ）］ ｎ１ ５×１０ １３ ～ １×１０ １４ ＞ ６×１０ ５ ２ ５×１０ １３ ～ １×１０ １４ ＞ ５×１０ ５ ～ ６×１０ ５ ３ ５×１０ １３ ～ １×１０ １４ ＞ ４×１０ ５ ～ ５×１０ ５ ４ ． ２ 　 单晶及切割片 ４ ． ２ ． １ 　 单晶及切割片不得有裂纹 、 空洞和孪晶线等缺陷 ， 切割片表面不得有肉眼可见的刀痕 ， 因切割而 引起的缺口或崩边应在 ２ｍｍ 以内 。 ４ ． ２ ． ２ 　 非掺杂和掺杂锑化铟单晶的电化学性能与位错密度应符合表 ２ 的规定 ， 用于磁敏元件的锑化铟 单晶及切割片的电学性能应符合表 ３ 的规定 。 表 ２ 　 非掺杂和掺杂锑化铟单晶电学性能 （ ７７ 犓 ） 和位错密度 牌号导电 类型掺杂剂载流子浓度 ／ ｃｍ －３ 迁移率 ／ ［ ｃｍ ２ ／（ Ｖ · ｓ ）］ 电阻率 ／ （ Ω · ｃｍ ） 直径 ／ ｍｍ 位错密度 ／ ｃｍ －２ 不大于 ＭＩｎＳｂｎ 非掺杂 （ １ ～ ５ ） ×１０ １４ ≥ ４．５×１０ ５ ≥ ０．０２７ １０ ～ ２００５００ １０００ ＭＩｎＳｂＴｅｎ Ｔｅ１×１０ １５ ～ ７×１０ １８ ２．４×１０ ５ ～ １×１０ ４ ０．０２６ ～ ０．０００１１０ ～ ２００５００ １０００ ＭＩｎＳｂＳｎｎ Ｓｎ１×１０ １５ ～ ７×１０ １８ ２．４×１０ ５ ～ １×１０ ４ ０．０２６ ～ ０．０００１１０ ～ ２００５００ １０００ ２ 犌犅 ／ 犜 １１０７２ — ２００９