ICS 31.200 L 55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T32815—2016 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范 Silicon-based MEMS fabrication technology- Specification for criterion of the bulk silicon piezoresistance process 2016-08-29发布 2017-03-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 32815—2016 目 次 前言 范围 1 规范性引用文件 2 3 术语和定义 工艺流程 4 4.1 概述 4.2 硅片选择 4.3 硅片压阻区制备 4.4 硅片隔离区制备 4.5 硅片背腔腐蚀 4.6 硅片引线制备（G) 10 4.7 玻璃片金属电极制备 12 4.8 硅-玻璃键合 4.9 键合片硅面刻蚀… 15 工艺保障条件要求 5 17 5.1 人员要求 17 5.2 环境要求 17 5.3 设备要求… 17 原材料要求· 6 18 7 安全操作要求· 19 7.1 用电安全· 19 7.2化学试剂 19 7.3排放… 19 8检验 19 8.1 总则 8.2 检验方法和要求 19 GB/T 32815—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。 本标准主要起草单位：北京大学、中机生产力促进中心、大连理工大学、东南大学、北京青鸟元芯微 系统科技有限公司。 本标准主要起草人：张大成、王玮、李海斌、杨芳、黄贤、何军、刘冲、刘伟、周再发、刘军山、李婷 姜博岩， GB/T32815—2016 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范 1范围 本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求 质量检验。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T19022测量管理体系测量过程和测量设备的要求 GB/T26111微机电系统（MEMS)技术术语 GB50073洁净厂房设计规范 3术语和定义 GB/T26111界定的术语和定义适用于本文件。 4工艺流程 4.1概述 体硅压阻工艺流程包括硅片压阻区制备、硅片隔离区制备、硅片背腔腐蚀、硅片引线制备、玻璃片电 极制备、硅-玻璃键合以及键合片硅面刻蚀等部分，其中的关键工艺用（G）表示， 4.2石 硅片选择 为22cm等。 4.2.2硅片晶面的选择应以后续的工艺选择为依据。当后续工艺步骤中使用了氢氧化钾（KOH）或四 甲基氢氧化铵（TMAH）腐蚀硅片背腔时，应使用（100）晶面的硅片。 4.3硅片压阻区制备 硅片压阻区制备如图1所示，包括清洗、光刻、离子注人、杂质原子扩散、杂质原子推进等工序，具体 包括以下步骤： a） 硅片准备，并做必要清洗； b）硅片表面热氧化方式制备二氧化硅； c) 硅片光刻，形成淡硼注人区图形； 1